第二百三十五章 晶圆硅片 (第6/7页)

不均，从而影响光刻；二是在做外延生长时沉积物也会优先堆积在直角边，影响沉积效果，做成圆弧状的边，就可以消除边缘沉积的现象。

    磨片和和倒角完成后，进行第6步：硅片精磨。

    使用的机械是硅片研磨机，陈地忠将硅片放到机器的研磨盘上，研磨盘逆时钟转动，修正轮带动工件自转，机械开始靠重力加压，工件与研磨盘作相对运转磨擦，来达到研磨抛光目的。

    经过这次精磨，大约去除了10微米左右的厚度，然后放入溶剂中进行第7步：化学刻蚀。

    资料推荐使用氢硝酸和氢氟酸，腐蚀掉表面约20到50微米左右的厚度，这样做的目的是去除之前打磨过程中硅片积累的机械损伤，以及混入硅片表层的磨料。

    到这里，经过一系列的打磨和刻蚀之后，硅片表面已经很光滑了，但用来制造芯片还不够光滑，因为在之后需要光刻机把图形投影到硅片上。

    光刻投影可以类比投影看电影，如果投影幕布不够平整，有起伏的倾角或者局部的凹凸，那投射上去的影像就会变形失真，影响观看体验。

    在光刻时硅片就相当于幕布，光刻的图像尺寸和精度都是纳米级的，所以要求硅片表面是一个完美的平面，一点点起伏参差或者局部凹凸都会影响光刻效果。

    根据资料中的建议，12寸硅片的整体平整度要小于60纳米，这相当于在电影院挂一块IMAX幕布，幕布起伏比一根头发丝还要细，为了达到这种极致的平坦，需要对硅片进行第8步：化学机械抛光，简称CMP。

    这一步是结合了物理和化学的理综型抛光手段，具体做法是将硅片装在旋转的